热管理是现代电子产品中的一个关键挑战，最近的关键创新集中在将金刚石直接集成到半导体上以实现高效冷却。然而，同时实现低热边界电阻（TBR）、最小热预算和足够的机械鲁棒性的金刚石/半导体连接仍然是一个艰巨的挑战。

       厦门大学电子科学与工程学院Yi Zhong研究团队提出了一种集体晶圆级键合技术，通过反应性金属纳米层在 200°C 下连接多晶金刚石和半导体。由此产生的硅/金刚石连接具有 9.74m2GW –1的超低 TBR ，大大优于传统的芯片连接技术。这些连接还表现出卓越的可靠性，可承受至少 1000 次热循环和 1000 小时的高温/潮湿考验。这些特性与所设计的金属夹层的再结晶微观结构有关。该演示代表了金刚石在半导体上的低温和高通量集成的进步，有可能使目前受热限制的电子应用成为可能。相关研究成果以题为“Low-temperature bonding of Si and polycrystalline diamond with ultra-low thermal boundary resistance by reactive nanolayers”于1月11日发表在《Journal of Materials Science & Technology 》上。

       原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jmst.2023.11.043